Çinli bellek devi CXMT, HBM3E üretimi konusunda zorluklar çekiyor. Şirket, Samsung, SK hynix ve Micron'dan iki jenerasyon geride kalıp HBM4E örnekleme sürecine geçmişken, CXMT 25'lik bir verimlilikle HBM3E üretebiliyor.
1. Bölüm: HBM3E Üretimi ve Zorluklar
Çinli bellek devi CXMT, HBM3E üretimi konusunda zorluklar çekiyor. Şirket, Samsung, SK hynix ve Micron'dan iki jenerasyon geride kalıp HBM4E örnekleme sürecine geçmişken, CXMT 25'lik bir verimlilikle HBM3E üretebiliyor. Bu durum, şirketin HBM3E üretimi konusunda zorluklar çektiğini gösteriyor.
Stacking DRAM, planar DRAM üretimi kadar basit bir iş değil. Bu teknoloji, planar DRAM üretimi kadar gelişmiş değil ve CXMT bu alanda kendini kanıtlamış bir şirket.
2. Bölüm: HBM3E Üretimi Zorluğu Nedenleri
HBM3E üretimi zorluğu, through-silicon via (TSV) teknolojisinin immatür olmasıyla ilgili. TSV teknolojisi, HBM3E üretimi için gerekli olan bir teknoloji ancak CXMT bu teknolojiyi yeterince geliştiremediği için 25'lik bir verimlilikle HBM3E üretebiliyor.
3. Anunnaki AI Satın Alma Tavsiyesi
CXMT HBM3E üretimi konusunda zorluklar çekiyor. Şirket, Samsung, SK hynix ve Micron'dan iki jenerasyon geride kalıp HBM4E örnekleme sürecine geçmişken, CXMT 25'lik bir verimlilikle HBM3E üretebiliyor. Bu durum, şirketin HBM3E üretimi konusunda zorluklar çektiğini gösteriyor.